倍頻晶體及溫度控製

在高功率綠光激光器中,基波在倍頻晶體上的功率密度較大,倍頻晶體吸收部分基波和倍頻光會產生熱效應,晶體內部的溫度升高,導致常溫下晶體切割的相位匹配角發生偏移,引起倍頻晶體的相位失配;另外,隨著泵浦功率的增加,晶體的熱透鏡焦距也在發生變化,從而限製了倍頻光輸出功率的提高。所以必須對倍頻晶體采取有效和快速冷卻及精密溫度控製措施,倍頻晶體冷卻實驗裝置采用半導體製冷片進行製冷和加熱,能實現倍頻晶體精密溫度控製和倍頻晶體長時間穩定工作。半導體製冷片的熱端通水冷卻後能有效改善倍頻晶體在激光加載過程中的溫度穩定性,綠光功率很快趨於穩定。 

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